パワーアンプ AMP-8510A - SATRI SHOP - バクーンプロダクツ公式オンラインショップ

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パワーアンプ AMP-8510A AMP-8510A

500,000円(内税)

For oversea customers:
Please contact us for overseas shipping.
Customers are responsible for shipping charges and various customs duties.

MOS-FET	500,000円(内税)
シリコンカーバイト半導体SiC	530,000円(内税)
超低インピーダンスMOS-FET	600,000円(内税)
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT	600,000円(内税)

購入数

AMP-8510A
このアンプは受注生産品です。ご注文をいただいてからお届けするまでの納期は、1カ月から4カ月ほどかかります。
材料はご注文いただいてから調達・製作いたしますので、ご注文時の在庫や材料の納期などによって変動があります。また、1台ずつ手作りですので個体ごとに変更がある場合もありますので、ご了承ください。

AMP-8510Aは半導体無帰還Aクラス・シングル・アンプという今までにない試みです。
現在はリニア動作に使える半導体は少なく、スイッチング用の素子しか入手できなくなりました。スイッチング素子は飽和領域で使うスイッチング動作は保証されていないものが殆どで、データシートにはリニア動作の使用は禁止と書いてあるものもあります。
Pc=200Wの素子ならば30V2Aで60Wでは楽勝と思って使用したら電源を入れた瞬間飛んでしまい、最初は訳が分からなかったです。
こうして多くの半導体の屍を築きながらスイッチング素子の性質を理解していきました。
いまでは、スイッチング素子のリニア利用という世界的に見ても例が少ない回路を開発することができました。

AMP-8510Aは出力半導体を一般的なMOS-FET、シリコンカーバイト半導体SiC、超低インピーダンスMOS-FETの3種類の半導体を使用した機種があります。
価格は次のようになっています。

MOS-FETモデル:\500,000
SiCモデル:\530,000
超低インピーダンスMOS-FETモデル:\600,000

これらの価格の違いは素子自体の価格の違い、入手コストの違い、実装調整コストの違いから発生します。
各素子の周波数特性、歪率、S/N比は大きな違いはないですが、DFは一般的なMOS-FET、シリコンカーバイト半導体SiCは15～30の間ですが、超低インピーダンスMOS-FETでは57と2倍から3倍の差があります。
超低インピーダンスMOS-FETは溶接機などに使われる素子で、瞬間的に数100A流せる素子です。オン抵抗が数mΩ以下と小さいのが特徴です。
オン抵抗は半導体素子が飽和した状態の内部抵抗で、リニア作動中のAクラスアンプには関係ないようですが、弊社でいろんな素子を使って試作した結果、ON抵抗が小さい素子はAクラス動作の内部抵抗も小さいことが分かっています。そのために超低インピーダンスMOS-FETも選択肢に加えました。